◆…삼성전자의 LPDDR5X D램 (이미지 삼성전자)
삼성전자는 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓는 동시에 패키지 회로 기판 및 EMC 기술 등을 최적화해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소시키고, 열 저항을 약 21.2% 개선했다.
또한, 패키지 공정 중 하나인 백랩 공정의 기술력을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다. 이로 인해 추가적인 여유 공간이 확보되어 원활한 공기 흐름을 유도하고, 기기 내부 온도 제어에도 도움을 줄 수 있다.
고성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능(Throttling)이 작동한다. 이번 제품을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다.
삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발하여 온디바이스 AI 시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 "고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"며 "삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다"고 밝혔다.
삼성전자는 이번 0.65mm LPDDR5X D램을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체에 적기에 공급해 저전력 D램 시장을 더욱 확대해 나갈 계획이다.
