◆…사진:하드웨어타임스
삼성전자가 3nm(나노미터) 공정에 GAA(게이트 올 어라운드) 기술을 적용하겠다고 공표한 가운데 경쟁자인 대만 TSMC는 2nm 공정에 적용하겠다고 발표했다.
대만의 하드웨어 타임스는 삼성전자가 3nm( 나노미터, 1nm는 10억분의 1m) 공정에 GAA를 채택하겠다고 천명하자 대만 TSMC는 2023년 양산 예정인 2nm 공정에 적용할 계획을 공개했다고 22일 보도했다.
삼성전자는 2021년 3nm 대량생산 시 GAA 기술로 전환할 계획이지만 TSMC는 3nm에는 기존 핀팻(FinFet)을 사용하고 2023년 양산에 들어갈 2nm 공정에 GAA를 적용할 예정이라는 것이다.
매체는 “현재 TSMC는 공정기술에 있어 삼성전자에 훨씬 앞서있으며 애플을 비롯한 대부분의 칩 제조사들이 TSMC 5nm 공정에 생산을 맡기려는 추세”라며 “TSMC는 자사의 5nm 및 3nm 공정이 삼성전자의 3nm GAA 공정에 대해 충분한 경쟁력을 갖는 것으로 믿고 있다”고 전했다.
특히 TSMC의 장점은 애플 등 스마트폰 제조업체의 충분한 지원과 후원을 받아 공동으로 2nm GAA 공정을 개발하고 있기 때문에 향후 주문량 감소를 걱정할 필요가 없다는 것이라고 덧붙였다.
한편 삼성전자는 지난 16일 열린 '테크위크 2020 LIVE'를 통해 차세대 반도체 기술 전략을 밝히는 자리에서 “사장 앞선 GAA 기술을 보유했다고 자부한다”라며 “세계 최초로 양산을 시작할 예정”이라고 밝힌 바 있다.
GAA는 현재 반도체 공정의 주력인 핀펫보다 한 단계 진화한 기술로 채널의 4개면 모두를 감싸 전류를 더욱 정교한 제어가 가능, 3nm 미만의 초미세 공정에 적합하다는 평가를 받고 있다.
현재 GAA 공정을 개발한 파운드리(수탁생산) 회사는 삼성전자와 TSMC뿐으로 TSMC의 3nm 핀팻 공정 고수는 삼성전자에 대한 자신감을 드러낸 것이기는 하지만 최종 어떤 결과를 가져올 수 있을지 기대된다.
