◆…QLC 9세대 V낸드. (사진 삼성전자)
이번 성과는 삼성전자가 지난 4월 'TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산에 이어 고용량·고성능 낸드플래시 시장에서의 리더십을 더욱 강화하는 계기가 될 전망이다.
1Tb V낸드는 단일 칩 안에 1조 비트의 셀을 구현한 제품이며, QLC는 하나의 셀에 4비트 데이터를 저장하는 기술이다. 이는 고용량 저장장치의 핵심 기술로 더 많은 데이터를 보다 빠르고 효율적으로 저장할 수 있게 해준다.
삼성전자의 9세대 V낸드는 독자적인 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 적용하여 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 수준의 적층 단수를 구현했다. 이를 통해 이전 세대보다 약 86% 증가한 비트 밀도를 자랑하며 셀과 주변 회로(페리)의 면적을 최소화해 성능과 효율을 극대화했다.
또한 삼성전자는 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 통해 셀 간 특성 균일성을 유지하면서 데이터 보존 성능을 약 20% 향상시켰다. 더불어 '예측 프로그램(Predictive Program)' 기술을 도입해 쓰기 성능을 100%, 데이터 입출력 속도를 60% 개선했다.
이번 제품은 전력 효율에서도 혁신을 이뤘다. 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 부분만 센싱하는 '저전력 설계 기술'을 적용해 데이터 읽기와 쓰기 시 전력 소모를 각각 30%, 50% 줄였다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "9세대 QLC V낸드 양산으로 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화했다"고 밝혔다. 삼성전자는 이번 QLC 9세대 V낸드를 시작으로 모바일 UFS, PC, 서버 SSD 등 다양한 분야에 적용 범위를 넓혀갈 계획이다.
