¸¸¼ºÀûÀÎ °ø±ÞºÎÁ·¿¡ ½Ã´Þ¸®´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀÌ 2025³â±îÁö ¸Å³â Æò±Õ 48%ÀÇ °í°ø¼ºÀåÀ» À̾ °ÍÀ̶ó´Â Àü¸ÁÀÌ´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ½ÃÀåÁ¶»çȸ»ç Æ®·£µåÆ÷½º´Â ÇöÀç °¡Àå ¹ßÀü°¡´É¼ºÀÌ ³ôÀº ¼ÒÀç´Â Àü±âÀÚµ¿Â÷ °ü·Ã ±Þ¼ÓÃæÀü ¹èÅ͸® ½ÃÀåÀ¸·Î ÇÙ½É ºÎÇ°ÀÎ 8ÀÎÄ¡ ±âÁØ 3¼¼´ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀÇ °æ¿ì 2025³â±îÁö ¿¬Æò±Õ ¼ºÀå·üÀÌ 48%¿¡ À̸¦ °ÍÀ̶ó°í 11ÀÏ ¹àÇû´Ù.
ƯÈ÷ ÀÌ ºÐ¾ß Áß¿¡¼µµ ¼ºÀå°¡´É¼ºÀÌ °¡Àå ³ôÀº ¼ÒÀç´Â °íÃâ·Â·°íÁÖÆÄ Æ¯¼ºÀ» °¡Áø WBG(Wide Band Gap) ¹ÝµµÃ¼´Â Áö³ÇØ ¸ÅÃâ 2¾ï9800¸¸ ´Þ·¯¿¡¼ 2025³â¿¡´Â 47¾ï1000¸¸ ´Þ·¯¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ̶ó´Â ºÐ¼®ÀÌ´Ù.
À̵é Á¦Ç°ÀÇ ÇٽɼÒÀçÀΠźȱԼÒ(SiC)´Â ¿¡³ÊÁö ÀúÀå, dz·Â, ž籤, EV, NEV(½Å¿¡³ÊÁöÂ÷·®) ¹× ³ôÀº Á¤¹Ðµµ¸¦ ¿ä±¸ÇÏ´Â °íÀü·Â ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ÁÖ·Î »ç¿ëµÇ°í °í¼Ó¼ºÀå ÇÏ´Â Àü±âÂ÷¿ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ´ëºÎºÐÀÌ Si IGBT, Si MOSFET µî Si°è ¼ÒÀç·Î SiC Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀº 2025³â±îÁö 33¾ï9000¸¸ ´Þ·¯¿¡ À̸¦ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù.
źȱԼҰ¡ ÀúÁÖÆÄ¿ë¿¡ ÀûÇÕÇÏ´Ù¸é °íÁÖÆÄ ´Ü¸»±â¿ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀç´Â ÁÖ·Î ÁúÈ°¥·ý(GaN)ÀÌ ÀÌ¿ëµÈ´Ù. Åë½ÅÀåºñ³ª ÈÞ´ëÆù, ÅÂºí¸´ ¹× ³ëÆ®ºÏ µîÀÇ °í¼ÓÃæÀüÀ» Æ÷ÇÔÇÑ °íÁÖÆÄ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ÀûÇÕÇϸç Àü·Â¹Ðµµ°¡ ³ô¾Æ ÃæÀü ¼Óµµ°¡ »ó´ëÀûÀ¸·Î ºü¸£´Ù´Â ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù.
ÀÌ¿¡ Gan°è Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ¿ª½Ã 2025³â 13¾ï2000¸¸ ´Þ·¯¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù. µû¶ó¼ 3¼¼´ë 8ÀÎÄ¡ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¾²ÀÓ¼¼´Â ´õ¿í È®´ëµÉ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ÇâÈÄ ¸î ³â µ¿¾È Áö¼ÓÀûÀÎ ¼ºÀåÀÌ ±â´ëµÇ´Â »ê¾÷ºÐ¾ß¶ó°í ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.