◆…삼성전자 평택공장 2라인 (사진=삼성전자)
삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.
시스템반도체 비전 2030 발표 당시 수립한 133조 원의 투자계획에 38조 원을 추가해 2030년까지 총 171조 원을 투자하고 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산 라인 건설에 더욱 박차를 가한다.
지난 2019년 4월 정부는 삼성전자 화성사업장에서 시스템반도체 비전 선포식을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝힌 바 있으며 당시 삼성전자도 시스템반도체 비전 2030을 제시하며 133조 원 투자계획을 발표했다.
최근 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지고 각국 정부가 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 K-반도체의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.
내년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기로 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹이며 EUV 기술을 적용해 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 생산한다. 모든 공정을 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.
향후 차세대 D램에 EUV 기술 선도적용, 메모리와 시스템반도체를 융합한 HBM-PIM, D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 CXL D램 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가해 초격차 1위 위상을 강화할 방침이다.
김기남 부회장은 “줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”며 "결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장서겠다“라고 강조했다.
국내 반도체 생태계 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 더욱 확대한다. 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 더욱 확대하고 공급망 핵심인 소재·부품·장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.
특히 사업 성장에 따라 팹리스 기업들의 성장가능성이 큰 파운드리는 많은 기업의 창업과 함께 전반적인 시스템반도체 산업의 기술력도 업그레이드되는 부수적인 효과도 유발할 수 있을 것으로 기대된다.
