¾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë A9ÇÁ·Î¼¼¼ ¼öÁÖ °æÀï¿¡¼ »ï¼ºÀüÀÚ°¡ ´ë¸¸ÀÇ TSMC¸¦ ´©¸£°í 80% ÀÌ»óÀ» »ý»êÇÒ °ÍÀ̶ó´Â º¸°í¼°¡ ³ª¿Ô´Ù.
¹Ì±¹ÀÇ ±ÝÀ¶Àü¹®Áö ¹è·±½º´Â Å©·¹µð¸®¿ä³×(CLSA)Áõ±ÇÀÇ ºÐ¼® º¸°í¼¸¦ ÅëÇØ »ï¼ºÀüÀÚ¿Í TSMC°¡ Â÷¼¼´ë A9Ĩ »ý»êÀÇ »ó´çºÎºÐÀ» °øÀ¯ÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù°í 14ÀÏ(ÇöÁö½Ã°£) º¸µµÇß´Ù.
CSLAÀÇ ¾Ö³Î¸®½ºÆ® ºÎ·ç½º ·ç¿Í ±æ ÀÎÀº ÇöÀç´Â TSMC°¡ ¾ÖÇÃÀÇ Ä¨¼ÂÀ» ´ëºÎºÐ »ý»êÇÏ°í ÀÖÁö¸¸ ¾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë ¾ÆÀÌÆù¿ë ÇÁ·Î¼¼¼ÀÇ ÁÖ »ý»êÀÚ´Â »ï¼ºÀüÀÚ°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î ¹Ï°í ÀÖ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
º¸°í¼´Â Áö±Ý±îÁö ´ëºÎºÐÀÇ ½ÃÀå °ü°èÀÚµéÀº ¾ÖÇÃÀÌ 2015³â Ãâ½Ã¿¹Á¤ÀÎ Â÷¼¼´ë ÁÖ·Â ¾ÆÀÌÆù¿ë A9 AP(¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ÇÁ·Î¼¼¼)ÀÇ »ý»êÀ» TSMCÀÇ 20nm(³ª³ë¹ÌÅÍ)°øÁ¤¿¡¼ ÀÌ·ïÁú °ÍÀ¸·Î ¾Ë°í ÀÖ¾ú´Ù°í ÀüÇß´Ù.
ƯÈ÷ ¾ÖÇÃÀÌ 14nm °øÁ¤À» Àû¿ëÇϱâ·Î ÇÏ¸é¼ TSMC´Â ¹°·Ð »ï¼ºÀüÀÚ³ª ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®µµ ¾ÖÇÃÀÇ µ¶Á¡Àû °ø±Þ¿¡ ÇÊ¿äÇÑ ¿ù 6¸¸Àå¿¡¼ 7¸¸Àå¿¡ À̸£´Â ¿þÀÌÆÛ »ý»ê ´É·ÂÀ» º¸À¯ÇÏÁö ¸øÇÑ °ÍÀ¸·Î ³ªÅ¸³µ´Ù. À̸¦ À§Çؼ´Â 100¾ï ´Þ·¯ ÀÌ»óÀÇ °íÁ¤ÀÚ»ê ÅõÀÚ°¡ ÇÊ¿äÇÏ´Ù´Â ÀÇ°ßÀÌ´Ù.
±×·¯³ª ÃÖ±Ù »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ±Û·Î¹ú ÆÄ¿îµå¸® ±×¸®°í TSMC°¡ 14/16nm ÇÉÆÖ(FinFET) °øÁ¤ÀÇ ¹°·®À» ºÐÇÒÇϸé A9ÀÇ °ø±ÞÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù´Â °ÍÀ» È®ÀÎÇß´Ù. ÀÌ¿¡ µû¶ó ¾ÖÇÃÀº 2°³ ȸ»çÀÇ °øÁ¤°ú ±â¼úÀÌ ¸Å¿ì »óÀÌÇÏ¿© ¼³°èº¯°æ»Ó ¾Æ´Ï¶ó ¸¶½ºÅ©, IPs µî ºñ¿ëÀÌ Ãß°¡µÊ¿¡µµ ³ª´²¼ ¹ßÁÖÇß´Ù.
CLSA´Â ¡°¾ÖÇÃÀÌ ÇϳªÀÇ Ä¨À» ³ª´²¼ ¹ßÁÖÇÏ´Â °ÍÀº »ó´çÈ÷ ÀÌ·ÊÀûÀÎ »ç°Ç¡±À̶ó¸ç ¡°¾ÖÇÃÀº ¿ÃÇØ 2¾ï200¸¸´ë(30¾ï ´Þ·¯)ÀÇ ¾ÆÀÌÆùÀ» ÆǸÅÇÒ ¿¹Á¤À¸·Î A9°ú A8ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ ÀåÂøÇÑ Á¦Ç°ÀÌ °¢°¢ 50%Á¤µµÀÏ °Í¡±À¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù.
TSMC´Â ÇöÀç »ý»ê ÁßÀÎ A8ÇÁ·Î¼¼¼ ¸ðµÎ¸¦ ±×´ë·Î °è¼Ó »ý»êÇÒ °ÍÀ̸ç Â÷¼¼´ë A9ÇÁ·Î¼¼¼´Â »ï¼ºÀüÀÚ°¡ 80%¸¦, ±×¸®°í TSMC´Â 20%¸¦ ³ª´²°¡Áú °ÍÀ¸·Î ¿¹ÃøÇß´Ù.
ÇÑÆí ÀÌ·¯ÇÑ Àü¸ÁÀÌ ³ª¿ÀÀÚ ´ë¸¸ ÁÖ½Ä ½ÃÀå¿¡¼ TSMCÀÇ ÁÖ°¡´Â 4.12´Þ·¯, 1.13%Ç϶ôÇϸç Å« ¼Òµ¿À» ÀÏÀ¸Å°°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ±â°üÅõÀÚÀڵ鵵 ÆÈÀÚ¿¡ ³ª¼ 5000¸¸ÁÖ ÀÌ»óÀ» ÆÈ¾Æ Ä¡¿ü´Ù.