◆…자료:마이크론
미국 메모리 제조업체 마이크론(Micron Technology)이 고가의 리소그래피 장비를 사용하지 않고 메모리 밀도를 35% 높인 디램을 공개했다.
마이크론은 1일(현지시간) 보도자료를 통해 세계 최고 수준의 디램 노드를 통해 양산준비를 완료했으며 스마트폰 제조업체와 칩세트 협력사들이 선택할 수 있는 1β(1베타) DRAM 기술의 검증 샘플을 출하한다고 발표했다.
동급 최고 속도인 초당 8.5기가비트(Gb)를 지원하는 저전력 이중 데이터 속도 5X(LPDDR5X) 모바일 메모리 제품으로 지난해 선보인 1α(1-alpha)에 비해 16기가비트 디램 칩은 전력 효율이 15% 더 높고 다이 밀도는 35% 향상되었다.
특히 최첨단 칩 제조기술인 극자외선 리소그래피(EUV) 장비가 아닌 기존 장비를 통해 이뤄낸 결과로 DRAM 셀을 구성하는 기능은 로직 칩의 기능만큼 작지는 않지만 이러한 발전은 밀도가 미래에 더 줄어들 수 있음을 의미한다.
1β라고 불리는 마이크론의 새로운 제조공정을 이용해 제조한 첫 번째 칩으로 마이크론은 1년 전 삼성과 SK하이닉스가 만든 제품보다 앞서 있다고 주장했다.
마이크론 디램 프로세스 통합 부사장 티 트란(Thy Tran)에 따르면 극자외선 리소그래피 대신 독자적인 ‘멀티 패터닝’ 기술을 사용했으며 낸드플래시(NAND) 공정에서 채택된 기술이다.
그녀는 “우리는 그것을 이용해 공격적으로 활용했다”라며 “디램과 낸드플래시에 모두 활용할 수 있다는 것은 매우 중요한 혁신으로 EUV를 사용할 필요가 없다는 것이 진짜 혁신”이라고 말했다.
